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北京英飛凌IGBT模塊的使用說明
點(diǎn)擊次數(shù):2747 更新時(shí)間:2016-08-24
 
  
  由于北京英飛凌IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):
  
  在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒有超過柵極zui大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
  
  此外,在柵極—發(fā)射極間開路時(shí),若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時(shí),如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
  
  在使用北京英飛凌IGBT模塊的場(chǎng)合,當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(shí)(柵極處于開路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會(huì)損壞,為防止此類故障,應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
  
  在安裝或更換北京英飛凌IGBT模塊時(shí),應(yīng)十分重視北京英飛凌IGBT模塊與模塊片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,在模塊器與北京英飛凌IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般模塊片底部安裝有模塊風(fēng)扇,當(dāng)模塊風(fēng)扇損壞中模塊片模塊不良時(shí)將導(dǎo)致北京英飛凌IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對(duì)模塊風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在模塊片上靠近北京英飛凌IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過高時(shí)將報(bào)警或停止北京英飛凌IGBT模塊工作。
  
  
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