CM200DU-24H三菱IGBT模塊發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡(jiǎn)化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡(jiǎn)化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開(kāi)發(fā)，予估近2-3年內(nèi)，會(huì)有突破性的進(jìn)展。目今已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT，IGCT，電流型SGCT等。

　　

　　CM200DU-24H三菱IGBT模塊正是作為順應(yīng)這種要求而開(kāi)發(fā)的，它是由MOSFET和PNP晶體管復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十KHz頻率范圍內(nèi)?；谶@些優(yōu)異的特性，CM200DU-24H三菱IGBT模塊一直廣泛使用在超過(guò)300V電壓的應(yīng)用中，模塊化的IGBT可以滿足更高的電流傳導(dǎo)要求，其應(yīng)用領(lǐng)域不斷提高，今后將有更大的發(fā)展。