IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D
品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊，最大規(guī)格1mΩ
新品
采用 1200V SiC M1H芯片的
62mm半橋模塊，最大規(guī)格1mΩ
1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了 M1H芯片技術(shù)，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料（TIM）版本。
相關(guān)產(chǎn)品：
1，2，6mΩ，1200V 62mm半橋模塊
產(chǎn)品特點(diǎn)
集成體二極管，優(yōu)化了熱阻
最高的防潮性能
柵極氧化層可靠性
抗宇宙射線(xiàn)能力強(qiáng)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)要求
應(yīng)用價(jià)值
按照應(yīng)用苛刻條件優(yōu)化
更低的電壓過(guò)沖
導(dǎo)通損耗最小
高速開(kāi)關(guān)，損耗極低
對(duì)稱(chēng)模塊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)對(duì)稱(chēng)的上下橋臂開(kāi)關(guān)行為
標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝技術(shù)確?？煽啃?/p>
62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線(xiàn)上生產(chǎn)
競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
通過(guò)碳化硅擴(kuò)展成熟的62毫米封裝的產(chǎn)品，以滿(mǎn)足快速開(kāi)關(guān)要求和低損耗的應(yīng)用。
電流密度最高，防潮性能強(qiáng)
應(yīng)用領(lǐng)域
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電動(dòng)汽車(chē)充電
光伏逆變器
UPS
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