三菱HVIGBT模塊CM800E6C-66H
| 型 號(hào)： | CM800E6C-66H |
| 報(bào) 價(jià)： | 9999 |
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
北京京誠宏泰科技原裝正品銷售三菱HVIGBT模塊CM800E6C-66H
3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules
IC...................................................................800A
VCES ....................................................... 3300V
Insulated Type
1-element in a Pack (for brake)
AISiC Baseplate
CM800E2C-66H CM800E4C-66H
CM800E6C-66H CM400HG-66H
CM1200HG-66H CM400HB-90H
CM600HB-90H CM900HB-90H
CM600HG-130H
IGBT模塊以其驅(qū)動(dòng)電路的小型化、系統(tǒng)的輕型和效率化，使用于電氣鐵路和大型產(chǎn)業(yè)機(jī)器等需要高耐壓、大電流的功率電子設(shè)備，正在取代已往使用的晶閘管、GTO。推出HV（High Voltage）IGBT模塊產(chǎn)品陣容。
特長
- 采用平面IGBT
- 采用軟恢復(fù)二極管
- AlSiC基板
- 高絕緣包裝（Viso 10.2kV,AC 1min）也是產(chǎn)品陣容
- 工作溫度范圍的擴(kuò)大
主要用途
變換器裝置 / 換流器裝置 / DC斬波器裝置
